固態(tài)電解質(zhì)陶瓷片和粉 參考價(jià)：面議
固態(tài)電解質(zhì)陶瓷片和粉介紹：鎢摻雜LLZO氧化物的標(biāo)稱(chēng)組成為L(zhǎng)i6.3La3Zr1.65W0.35012，由于鋰離子電導(dǎo)率高，相對(duì)于鋰的化學(xué)穩(wěn)定性，是鋰基電池中的...
Ni基底石墨烯 參考價(jià)：面議
Ni基底石墨烯是一種基底
氮化鎵（GaN）晶體基片 參考價(jià)：面議
GaN易與AlN、InN等構(gòu)成混晶，能制成各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)，已經(jīng)得到了低溫下遷移率達(dá)到105cm2/Vs的2-DEG（因?yàn)?-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學(xué)聲子...
進(jìn)口鎵酸鋰（LiGaO2）晶體基片 參考價(jià)：面議
進(jìn)口鎵酸鋰（LiGaO2）晶體基片
鋁酸鋰（LiAlO2）晶體基片 參考價(jià)：面議
鋁酸鋰（LiAlO2）晶體基片
鋁酸鎂（MgAl2O4）晶體基片 參考價(jià)：面議
鋁酸鎂（尖晶石）單晶廣泛應(yīng)用于聲波和微波器件及快速I(mǎi)C外延基片。同時(shí)研究發(fā)現(xiàn)它是好的III-V族氮化物器件的襯底。MgAl2O4晶體由于很難維持它的單晶結(jié)構(gòu)而難...
Au靶 參考價(jià)：面議
Au靶材于薄膜制備
硅鍺（Si-Ge）晶體基片 參考價(jià)：面議
硅鍺（Si-Ge）晶體基片
AL2O3晶棒 參考價(jià)：面議
AL2O3晶棒
非極性GaN晶體基片 參考價(jià)：面議
非極性GaN晶體基片
鋁酸鑭（LaAlO3）晶體基片 參考價(jià)：面議
鋁酸鑭（LaAlO3）晶體基片
鋁酸鍶鉭鑭（LSAT）晶體基片 參考價(jià)：面議
鋁酸鍶鉭鑭（LSAT）晶體基片
鈦酸鍶（SrTiO3）雙晶基片 參考價(jià)：面議
鈦酸鍶（SrTiO3）雙晶基片
LaNiO3導(dǎo)電薄膜 參考價(jià)：面議
LaNiO3導(dǎo)電薄膜
Al摻雜ZnO基薄膜 參考價(jià)：面議
Al摻雜ZnO基薄膜
Ca3CO4O9氧化物熱電薄膜 參考價(jià)：面議
Ca3CO4O9氧化物熱電薄膜
A-Z系列薄膜 參考價(jià)：面議
A-Z系列薄膜
氧化鈰（CeO2）薄膜 參考價(jià)：面議
氧化鈰（CeO2）薄膜
Si+SiO2+Ti+Pt薄膜 參考價(jià)：面議
Si+SiO2+Ti+Pt薄膜
SOI薄膜（Si+SiO2+Si） 參考價(jià)：面議
SOI薄膜（Si+SiO2+Si）
Si+SiO2薄膜 參考價(jià)：面議
Si+SiO2薄膜
金剛石薄膜（DOS） 參考價(jià)：面議
金剛石薄膜（DOS）
金剛石薄膜（高阻DOI） 參考價(jià)：面議
金剛石薄膜（高阻DOI）
金剛石薄膜（低阻DOI） 參考價(jià)：面議
金剛石薄膜（低阻DOI）(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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